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IRF3707Z/S/L
100000
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
6.0
5.0
ID= 17A
VDS= 24V
VDS= 15V
4.0
1000
100
10
Ciss
Coss
Crss
3.0
2.0
1.0
0.0
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
1000.00
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100.00
10.00
T J = 175°C
100
1.00
T J = 25°C
10
100μsec
1msec
0.10
0.01
VGS = 0V
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
10msec
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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